【英飞凌IG五分快三官方BT模块型号FF50R12RT4供应有现货】

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英飞凌IGBT模块型号FF80R12RT4供应有现货,下面介绍下IGBT模块的损耗:IGBT模块由IGBT主次和FWD主次构成  ,IGBT模块的损耗源于内部IGBT和反并联二极管(续流FWD、整流)芯片的损耗  ,它们其他人存在的损耗的合计即为IGBT模块整体存在的损耗。另外存在的损耗可分为稳态和交换损耗。

IGBT并都是1个多理想开关  ,主要体现在:

(1)IGBT在导通时有饱和电压-Vcesat

(2)IGBT在开关时有开关能耗-Eon和Eoff

这是IGBT产生损耗的根源。Vcesat造成导通损耗  ,Eon和Eoff造成开关损耗。

导通损耗 + 开关损耗 = IGBT总损耗。

FWD也存在两方面的损耗  ,如果:

(1)在正向导通(即续流)时有正向导通电压:Vf;

(2)在反向恢复的过程带有反向恢复能耗:Erec。

IGBT模块的损耗-小结:

IGBT:

导通损耗:

(1)与IGBT芯片技术有关

(2)与运行条件有关:与电流成正比 ,与IGBT占空比成正比  ,随Tj升高而增加。

(3)与驱动条件有关:随Vge的增加而减小

开关损耗:

(1)与IGBT芯片技术有关

(2)与工作条件有关:与开关频率、电流、电压成正比  ,随Tj升高而增加。

(3)与驱动条件有关:随Rg的增大而增大  ,随门极关断电压的增加而减小。

FWD:

导通损耗:

(1)与FWD芯片技术有关

(2)与工作条件有关:与电流成正比  ,与FWD占空比成正比。

开关损耗:

(1)与FWD芯片技术有关

(2)与工作条件有关:与开关频率、电流、电压成正比  ,随Tj升高而增加。

系统总的损耗:

单个IGBT总的损耗PTr为通态损耗与开关损耗之和  ,单个反并联二极管总的损耗PD为通态损耗和开关损耗之和。以变频器为例  ,系统总的损耗Ptot为6个IGBT和6个二极管损耗之和。